메모리 구별방법(?)

메모리 보는 법

◇ 서두 문자의 의미

KMM - 삼성메모리 - 삼성이 한국 반도체를 인수 했기 때문에 KM임...-_-
GMM - 엘지메모리 - 옛이름이 골드 스타 (Gold Star)
HYM - 현대메모리 - 하이닉스로 변경

※ 현대그룹이 엘지반도체를 인수해서 현대 마이크로 일렉트로닉스로
개사하면서 LG반도체의 파트넘버 디코더는 사라졌음 그러나 이전의
물량이 계속 존재하기 때문에 여기에 실음
==> 다시 하이닉스로 변경 ㅡㅡ;;

SIMM = Single Inline Memory Modlue
DIMM = Dual Inline Memoory Module
RIMM = Rambus Inline Memory Module

아래 게재 내용은 모듈임

◇ 72핀 SIMM 메모리

<삼성 메모리 기준>

끝이 6으로 끝나면 60ns, 7이면, 70ns 8이면, 80ns, 5이면 50ns

EDO구별 : 나노수를 제외한 끝자리가 4로끝나면 EDO메모리,
EDO = Extended Data Output

◇ 168핀 DIMM 메모리 (SDRAM)

삼성 AT : 구형 메모리 초기 SDRAM버전
BT : 인텔 TX와 함께나온 모델
BTN : BT의 개량형 LX나 BX에서 많이 쓰임
CT(N), DT :최근 생산 버전

-G0 : 10ns 100MHz CL=3
-GL : PC100 100MHz CL=3
-GH : PC100 100MHz CL=2,3
-G8 : 8ns 125MHz CL=3
-GA : 7.5ns PC133 133MHz CL=3
-G7 : 7ns PC133 143MHz CL=3

※ G = Auto & Self refresh
새 파트넘버 디코더에서는 C로 바뀜

-> 삼성의 새로운 파트넘버 디코더 방식

A -> 75 PC133 - 133MHz
8 -> 80 8ns - 125MHz
H -> 1H PC100 - 100MHz
L -> 1L PC100 - 100MHz
0 -> 10 10ns - 100MHz

엘지 -10K : 15ns PC66 CL=2
-10J : 15ns PC66 CL=3
-7K : 10ns PC100 222SPEC CL=2
-7J : 10ns PC100 322SPEC CL=3
-8 : 8ns 125MHz CL=3
-75 : 7,5ns PC133 CL=3
-7 : 7ns 143MHz PC133 CL=3

현대 -10 : 10ns 100MHz
-10P : 10ns PC100, CL=2,3
-10S : 10ns PC100, CL=3
-8 : 8ns 125MHz
-75 : 7.5ns PC133, 133MHz

일반적으로 PC66이하 메모리는 CL(CAS Latency)가 2 PC100이상 메모리는 3
그러나 버전에 따라 조금씩의 차이를 둔 버전이 있음.

◇ 184핀 200핀 DDR SDRAM DIMM

삼성
-A0: 10ns @CL2
-A1: 8ns
-A2: 7.5ns @CL2
-A3: 6.7ns
-B0: 7.5ns @CL2.5

현대
-xK : 133MHz PC266A
-xH : 133MHz PC266B

◇ 184핀 RIMM 메모리 (다이렉트 램버스)

삼성
-E6 : 600Mbps (300MHz) 60ns
-G6 : 600Mbps (300MHz) 53.3ns
-K7 : 711Mbps (356MHz) 45ns
-H8 : 800Mbps (400MHz) 50ns
-K8 : 800Mbps (400MHz) 45ns
-M8 : 800Mbps (400MHz) 40ns

현대
-6xx : 600Mbps 300MHz
-7xx : 711Mbps 356MHz
-8xx : 800Mbps 400MHz

-653 53ns (tRAC)
-750 50ns (tRAC)
-845 45ns (tRAC)
-840 40ns (tRAC)
※ tRAC (Row Access Time)
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